Memori kilat adalah satu bentuk teknologi separa lulus dan memori yang dapat diprogram semula elektrik. Konsep yang sama dapat digunakan dalam litar elektronik untuk menunjukkan penyelesaian yang lengkap dari segi teknologi. Dalam kehidupan seharian, konsep ini ditetapkan untuk kelas peranti pepejal yang luas untuk menyimpan maklumat.
Perlu
Pemacu kilat USB, komputer dengan sambungan internet
Arahan
Langkah 1
Prinsip pengoperasian teknologi ini didasarkan pada perubahan dan pendaftaran di kawasan terpencil cas elektrik dalam struktur semikonduktor. Perubahan caj seperti itu, iaitu rakaman dan penghapusannya, berlaku dengan bantuan aplikasi yang terletak di antara sumber dan pintu potensinya yang lebih besar. Oleh itu, kekuatan medan elektrik yang mencukupi dibuat antara transistor dan poket di medan dielektrik nipis. Ini adalah bagaimana kesan terowong timbul.
Langkah 2
Sumber memori berdasarkan perubahan caj. Kadang-kadang ia dikaitkan dengan kesan kumulatif fenomena yang tidak dapat dipulihkan dalam strukturnya. Oleh itu, bilangan penyertaan adalah terhad untuk sel kilat. Angka ini untuk MLC biasanya 10 ribu unit, dan untuk SLC - hingga 100 ribu unit.
Langkah 3
Masa penyimpanan data ditentukan oleh berapa lama caj disimpan, yang biasanya dinyatakan oleh kebanyakan pengeluar produk isi rumah. Ia tidak melebihi sepuluh hingga dua puluh tahun. Walaupun pengeluar hanya memberikan jaminan untuk lima tahun pertama. Akan tetapi, perlu diperhatikan bahawa peranti MLC mempunyai jangka waktu penyimpanan data yang lebih pendek daripada perangkat SLC.
Langkah 4
Struktur hirarki memori kilat dijelaskan oleh fakta berikut. Proses seperti menulis dan menghapus, serta membaca maklumat dari pemacu kilat, berlaku dalam blok besar dengan saiz yang berbeza. Contohnya, blok penghapusan lebih besar daripada blok tulis, yang seterusnya lebih kecil daripada blok baca. Ini adalah ciri khas memori flash dari yang klasik. Akibatnya, semua litar mikro-nya mempunyai struktur hierarki yang ketara. Oleh itu, memori dibahagikan kepada blok, dan menjadi bahagian dan halaman.
Langkah 5
Kepantasan menghapus, membaca dan menulis berbeza. Contohnya, kelajuan penghapusan boleh berbeza dari satu hingga ratusan milisaat. Itu bergantung pada ukuran maklumat yang dihapus. Kelajuan rakaman berpuluh atau beratus mikrodetik. Kelajuan membaca biasanya berpuluh-puluh nanodetik.
Langkah 6
Ciri-ciri penggunaan memori flash ditentukan oleh ciri-cirinya. Ia dibenarkan untuk menghasilkan dan menjual litar mikro dengan sejumlah sel memori yang rosak. Untuk menjadikan peratusan ini lebih rendah, setiap halaman dibekalkan dengan blok tambahan kecil.
Langkah 7
Titik lemah memori kilat ialah bilangan kitaran penulisan semula pada satu halaman adalah terhad. Keadaan menjadi lebih teruk kerana sistem fail sering menulis ke lokasi memori yang sama.
